在上午的大會(huì)主題論壇中，詳細(xì)講解隆基股份大容量快速拉晶和金剛線切片工藝、樂葉光伏PERC單晶電池產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程及未來2-3年結(jié)合MWT、N型工藝進(jìn)一步提升組件功率的技術(shù)實(shí)現(xiàn)路徑，未來3年內(nèi)單晶硅片與多晶硅片的非硅成本將趨于一致，結(jié)合單晶顯著的轉(zhuǎn)換效率優(yōu)勢(shì)，將大幅度提高單晶市場(chǎng)份額。
隆基股份系統(tǒng)集成總監(jiān)鄧良平介紹《高效單晶技術(shù)成本路線圖及主要實(shí)現(xiàn)措施》
只有當(dāng)硼和氧雜質(zhì)同時(shí)存在時(shí)才會(huì)發(fā)生光衰減現(xiàn)象，通過降低氧含量、降低硼濃度、用摻鎵取代摻硼、使用N型硅晶體、高溫?zé)崽幚?、使用同族摻雜硅晶體都可以實(shí)現(xiàn)光衰減抑制。余教授特別指出，浙大研究成果表明，第三態(tài)的生成能有效控制直拉單晶太陽(yáng)電池的光衰減效應(yīng)。
浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室余學(xué)功教授發(fā)表演講《摻硼直拉單晶硅太陽(yáng)電池的光衰減問題研究》
高溫對(duì)組件輸出功率的影響可能高達(dá)10%以上，同樣條件下的單晶組件溫度平均比多晶組件溫度低5-10攝氏度，因此單晶在高溫下的功率損失較少。李所長(zhǎng)引用了使用30年以上的甘肅、云南、日本光伏電站案例證實(shí)了單晶組件的長(zhǎng)期可靠性，引用日本京瓷組件樣本測(cè)試數(shù)據(jù)表明單晶組件29年的平均衰減僅16%，與多晶組件和薄膜組件相比，單晶的衰減率較低，具有顯著優(yōu)勢(shì)。在組件質(zhì)量方面，多晶硅電池的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度比單晶硅電池要差，因而多晶硅電池更容易發(fā)生隱裂。在電站成本方面，使用國(guó)內(nèi)一線品牌的單晶組件和多晶組件，單晶組件價(jià)格會(huì)比多晶組件高0.1元/W，但是在BOS成本方面單晶會(huì)顯著節(jié)約，做成系統(tǒng)以后，單晶電站每瓦投資比多晶電站低0.15元/W。電站投資需要考慮的是綜合投資成本而不是某一個(gè)設(shè)備部件的采購(gòu)成本。單晶硅的市場(chǎng)份額正在回歸，因?yàn)樗泻芏嘈碌募夹g(shù)在往前推，而多晶硅還在使用傳統(tǒng)的PN結(jié)，所以單晶的市場(chǎng)前景會(huì)更加廣闊。
甘肅自然能源研究所副所長(zhǎng)李世民：影響光伏發(fā)單的因素和組件選型探討
浙大硅材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室對(duì)300W標(biāo)定功率的單晶組件和300W標(biāo)定功率的多晶組件進(jìn)行比較，發(fā)現(xiàn)多晶比單晶年發(fā)電量少15%。在100-60mW/平方厘米光照下，多晶電池相對(duì)效率比單晶電池衰減更快，其差異主要由相對(duì)開路電壓的差異所致。室溫下多晶硅中位錯(cuò)網(wǎng)絡(luò)和晶界等深能級(jí)結(jié)構(gòu)缺陷復(fù)合活性隨載流子注入濃度降低而升高，對(duì)飽和電流和短路電流均有影響。
浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室原帥：光照強(qiáng)度對(duì)單多晶太陽(yáng)電池及組件性能差異的影響
